Natisni stran
IXTN21N100
MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 1 kV, 0.55 ohm, 10 V, 4.5 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXTN21N100
Številka naročila9359311
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXTN21N100
Številka naročila9359311
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source Voltage Vds1kV
Drain Source On State Resistance0.55ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation520W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
0.55ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaGermany
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaGermany
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000036