Natisni stran
GNP2070TD-ZTR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecROHM
Proizvajalčeva št. delaGNP2070TD-ZTR
Številka naročila4633526RL
tehnični podatkovni list
167 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 10+ | € 8,080 |
| 50+ | € 7,540 |
| 100+ | € 6,990 |
| 250+ | € 6,850 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 10
Več: 1
€ 85,80 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecROHM
Proizvajalčeva št. delaGNP2070TD-ZTR
Številka naročila4633526RL
tehnični podatkovni list
Pregled izdelka
GNP2070TD-ZTR is a 650V GaN HEMT which has achieved the industry's highest class FOM (Ron*Ciss, Ron*Coss). It is a product of the EcoGaN™ series that contributes to power conversion efficiency and size reduction by making the best use of low ON resistance and high-speed switching. ESD protection function is built in for high-reliability design. In addition, the highly versatile packages provide excellent heat dissipation and facilitates mounting. Suitable for high switching frequency converter and high density converter applications.
- 650V E-mode GaN HEMT
- 70mohm resistance and 5.2nC gate charge
- 27A Ids, 6.5V Vgs rating
- 0.098ohm drain source on state resistance
- 53A ID,pulse
- 800V transient drain to source voltage
- 8.5V transient gate to source voltage
- 159W power dissipation at Tc= 25°C
- 8 pin TOLL package, operation temperature Tj range from -55 to 150°C
- Dimension is 11.68mm x 9.9mm x 2.4mm (W (Typ) x D (Typ) x H (Max))
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaJapan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaJapan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.00001
Sledenje izdelku