Natisni stran
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecROHM
Proizvajalčeva št. delaGNP2070TD-ZTR
Številka naročila4633526
tehnični podatkovni list
167 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
Količina | |
---|---|
1+ | € 11,590 |
5+ | € 9,840 |
10+ | € 8,080 |
50+ | € 7,540 |
100+ | € 6,990 |
250+ | € 6,850 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 11,59 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecROHM
Proizvajalčeva št. delaGNP2070TD-ZTR
Številka naročila4633526
tehnični podatkovni list
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance0.098ohm
Typical Gate Charge5.2nC
Transistor Case StyleTOLL
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Pregled izdelka
GNP2070TD-ZTR is a 650V GaN HEMT which has achieved the industry's highest class FOM (Ron*Ciss, Ron*Coss). It is a product of the EcoGaN™ series that contributes to power conversion efficiency and size reduction by making the best use of low ON resistance and high-speed switching. ESD protection function is built in for high-reliability design. In addition, the highly versatile packages provide excellent heat dissipation and facilitates mounting. Suitable for high switching frequency converter and high density converter applications.
- 650V E-mode GaN HEMT
- 70mohm resistance and 5.2nC gate charge
- 27A Ids, 6.5V Vgs rating
- 0.098ohm drain source on state resistance
- 53A ID,pulse
- 800V transient drain to source voltage
- 8.5V transient gate to source voltage
- 159W power dissipation at Tc= 25°C
- 8 pin TOLL package, operation temperature Tj range from -55 to 150°C
- Dimension is 11.68mm x 9.9mm x 2.4mm (W (Typ) x D (Typ) x H (Max))
Tehnični podatki
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.098ohm
Transistor Case Style
TOLL
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
27A
Typical Gate Charge
5.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaJapan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaJapan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.00001
Sledenje izdelku