Natisni stran
CGD15HB62LP
Evaluation Board, CGD15HB62LP Gate Driver, For High-Performance Power Module Platform
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecWOLFSPEED
Proizvajalčeva št. delaCGD15HB62LP
Številka naročila3212281
tehnični podatkovni list
2 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
na voljo do odprodaje zalog
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 209,970 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 209,97 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecWOLFSPEED
Proizvajalčeva št. delaCGD15HB62LP
Številka naročila3212281
tehnični podatkovni list
Silicon ManufacturerWolfspeed
Silicon Core NumberCAS325M12HM2
Kit Application TypePower Management
Application Sub TypeSiC MOSFET
Kit ContentsEvaluation Board CAS325M12HM2
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Alternative za CGD15HB62LP
Št. najdenih izdelkov 2
Pregled izdelka
Form factor fitting, dual channel gate driver board for the high-performance power module platform. Each of the two gate drive channels is protected against over-current and reverse polarity. The CGD15HB62LP is capable of operating in ambient temperatures of up to 95°C.
- Optimized for Cree’s High Performance CAS325M12HM2 Half Bridge Power Modules
- High-Frequency, Ultra-Fast Switching Operation
- On-board 3W or 6W isolated power supplies
- Configurable UVLO with hysteresis
- Direct mount low inductance design
- On-board overcurrent, overlap and reverse polarity protection
- Differential inputs for increased noise immunity
- DC bus voltages up to 1000V
- Supply voltage range from 9V to 18V
- Output peak current of ±14A
Tehnični podatki
Silicon Manufacturer
Wolfspeed
Kit Application Type
Power Management
Kit Contents
Evaluation Board CAS325M12HM2
SVHC
To Be Advised
Silicon Core Number
CAS325M12HM2
Application Sub Type
SiC MOSFET
Product Range
-
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.223