Natisni stran
SUD50N04-8M8P-4GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSUD50N04-8M8P-4GE3
Številka naročila1794799
tehnični podatkovni list
49.337 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 1,130 |
| 10+ | € 0,981 |
| 100+ | € 0,594 |
| 500+ | € 0,565 |
| 1000+ | € 0,564 |
| 5000+ | € 0,563 |
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,13 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSUD50N04-8M8P-4GE3
Številka naročila1794799
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0069ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation48.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Pregled izdelka
The SUD50N04-8M8P-4GE3 is a 40V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for backlight inverter for LCD display, DC to DC converter and full bridge converter applications.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
- PWM Optimised
Področja uporabe
Power Management
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0069ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za SUD50N04-8M8P-4GE3
Št. najdenih izdelkov 8
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0003