Natisni stran
SQS486CENW-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 18 A, 0.0041 ohm, PowerPAK 1212-8W, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSQS486CENW-T1_GE3
Številka naročila3729613RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV
tehnični podatkovni list
5727 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,535 |
| 500+ | € 0,389 |
| 1000+ | € 0,351 |
| 5000+ | € 0,270 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 58,50 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSQS486CENW-T1_GE3
Številka naročila3729613RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.0041ohm
On Resistance Rds(on)0.0041ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8W
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation62.5W
Power Dissipation Pd62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0041ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8W
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.0041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
62.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0005
Sledenje izdelku