Natisni stran
SQJ940EP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSQJ940EP-T1_GE3
Številka naročila2364124
tehnični podatkovni list
14.019 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 0,933 |
| 10+ | € 0,843 |
| 100+ | € 0,596 |
| 500+ | € 0,465 |
| 1000+ | € 0,460 |
| 5000+ | € 0,459 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 0,93 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSQJ940EP-T1_GE3
Številka naročila2364124
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel15A
Continuous Drain Current Id P Channel15A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0133ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0133ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The SQJ940EP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Področja uporabe
Industrial, Automotive, Power Management
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
15A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0133ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
15A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0133ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.002
Sledenje izdelku