Natisni stran
SIZF928DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIZF928DT-T1-GE3
Številka naročila3765812RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV Series
tehnični podatkovni list
11.994 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,850 |
| 500+ | € 0,676 |
| 1000+ | € 0,611 |
| 5000+ | € 0,540 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 90,00 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIZF928DT-T1-GE3
Številka naročila3765812RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id248A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel248A
Continuous Drain Current Id P Channel248A
Drain Source On State Resistance N Channel0.00053ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.00053ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel74W
Power Dissipation P Channel74W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
Dual N-channel 30V (D-S) MOSFET I typically used in applications such as CPU core power, computer / server peripherals, POL, synchronous buck converter and telecom DC/DC.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
248A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.00053ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
74W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
248A
Continuous Drain Current Id N Channel
248A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.00053ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
74W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaTaiwan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaTaiwan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001
Sledenje izdelku