Natisni stran
SIZ980BDT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIZ980BDT-T1-GE3
Številka naročila3368951RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV SkyFET Series
tehnični podatkovni list
11.794 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,910 |
| 500+ | € 0,666 |
| 1000+ | € 0,603 |
| 5000+ | € 0,523 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 96,00 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIZ980BDT-T1-GE3
Številka naročila3368951RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV SkyFET Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id197A
Continuous Drain Current Id N Channel197A
Continuous Drain Current Id P Channel197A
Drain Source On State Resistance N Channel817µohm
Drain Source On State Resistance P Channel817µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel66W
Power Dissipation P Channel66W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Pregled izdelka
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
197A
Continuous Drain Current Id P Channel
197A
Drain Source On State Resistance P Channel
817µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
66W
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
197A
Drain Source On State Resistance N Channel
817µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
66W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za SIZ980BDT-T1-GE3
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaTaiwan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaTaiwan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku