Natisni stran
SIZ340ADT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIZ340ADT-T1-GE3
Številka naročila3397316
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV Series
tehnični podatkovni list
6732 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
na voljo do odprodaje zalog
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 1,230 |
| 10+ | € 0,645 |
| 100+ | € 0,489 |
| 500+ | € 0,474 |
| 1000+ | € 0,461 |
| 5000+ | € 0,452 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,23 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIZ340ADT-T1-GE3
Številka naročila3397316
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel69.7A
Continuous Drain Current Id P Channel69.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.00357ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.00357ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel31W
Power Dissipation P Channel31W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Alternative za SIZ340ADT-T1-GE3
Št. najdenih izdelkov 2
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
69.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.00357ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
31W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
69.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.00357ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tehnični dokumenti (3)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaTaiwan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaTaiwan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku