Natisni stran
SIZ260DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIZ260DT-T1-GE3
Številka naročila3280637RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV Series
tehnični podatkovni list
9613 Na Zalogi
27.000 Izdelek na zalogi lahko rezervirate že zdaj.
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,718 |
| 500+ | € 0,570 |
| 1500+ | € 0,511 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 5
€ 76,80 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIZ260DT-T1-GE3
Številka naročila3280637RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Continuous Drain Current Id N Channel24.7A
Continuous Drain Current Id P Channel24.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0204ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0204ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel33W
Power Dissipation P Channel33W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
Continuous Drain Current Id P Channel
24.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0204ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
33W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
24.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0204ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaTaiwan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaTaiwan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000123
Sledenje izdelku