Natisni stran
SISS61DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 111.9 A, 0.0029 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSISS61DN-T1-GE3
Številka naročila3050577
Nabor izdelkovTrenchFET Gen III
tehnični podatkovni list
37.018 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 1,170 |
| 10+ | € 0,787 |
| 100+ | € 0,579 |
| 500+ | € 0,439 |
| 1000+ | € 0,379 |
| 5000+ | € 0,345 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,17 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSISS61DN-T1-GE3
Številka naročila3050577
Nabor izdelkovTrenchFET Gen III
tehnični podatkovni list
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id111.9A
Drain Source On State Resistance0.0029ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Pregled izdelka
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
111.9A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0035