Natisni stran
SISS52DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 162 A, 0.00095 ohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSISS52DN-T1-GE3
Številka naročila3586074
Nabor izdelkovTrenchFET Gen V
tehnični podatkovni list
6836 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 1,360 |
| 10+ | € 0,904 |
| 100+ | € 0,630 |
| 500+ | € 0,505 |
| 1000+ | € 0,460 |
| 5000+ | € 0,404 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,36 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSISS52DN-T1-GE3
Številka naročila3586074
Nabor izdelkovTrenchFET Gen V
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id162A
Drain Source On State Resistance0.00095ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
162A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.00095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za SISS52DN-T1-GE3
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku