Natisni stran
SISS26LDN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 81.2 A, 0.0034 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSISS26LDN-T1-GE3
Številka naročila3104160RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV
tehnični podatkovni list
15.698 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,759 |
| 500+ | € 0,643 |
| 1000+ | € 0,524 |
| 5000+ | € 0,493 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 80,90 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSISS26LDN-T1-GE3
Številka naročila3104160RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id81.2A
Drain Source On State Resistance0.0034ohm
On Resistance Rds(on)0.0034ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation57W
Power Dissipation Pd57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Pregled izdelka
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0034ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
81.2A
On Resistance Rds(on)
0.0034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000146
Sledenje izdelku