Natisni stran
SIS990DN-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIS990DN-T1-GE3
Številka naročila3772843RL
Nabor izdelkovTrenchFET Series
tehnični podatkovni list
13.508 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,538 |
| 500+ | € 0,413 |
| 1000+ | € 0,341 |
| 5000+ | € 0,302 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 58,80 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIS990DN-T1-GE3
Številka naročila3772843RL
Nabor izdelkovTrenchFET Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel12.1A
Continuous Drain Current Id P Channel12.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.071ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.071ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel25W
Power Dissipation P Channel25W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
12.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.071ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
25W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
12.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.071ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku