Natisni stran
SIS590DN-T1-GE3
Dual MOSFET, N and P Channel, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIS590DN-T1-GE3
Številka naročila3765824RL
Nabor izdelkovTrenchFET Series
tehnični podatkovni list
5665 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,616 |
| 500+ | € 0,447 |
| 1000+ | € 0,406 |
| 5000+ | € 0,348 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 66,60 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIS590DN-T1-GE3
Številka naročila3765824RL
Nabor izdelkovTrenchFET Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.197ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.197ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel23.1W
Power Dissipation P Channel23.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
N- and P-channel 100V (D-S) MOSFET is typically used in applications such as DC/DC converters, active clamp, brushless DC motors, AC/DC inverter and motor drive switch.
- TrenchFET® power MOSFETs
- Thermally enhanced PowerPAK®
- 100% Rg tested
Tehnični podatki
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.197ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
23.1W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.197ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
23.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0005
Sledenje izdelku