Natisni stran
SI7898DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 3 A, 0.068 ohm, SOIC, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI7898DP-T1-GE3
Številka naročila1794797
tehnični podatkovni list
13.880 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 2,050 |
| 10+ | € 1,710 |
| 100+ | € 1,350 |
| 500+ | € 1,050 |
| 1000+ | € 0,894 |
| 5000+ | € 0,826 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 2,05 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI7898DP-T1-GE3
Številka naročila1794797
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.068ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The SI7898DP-T1-GE3 is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC power supply primary side switch and industrial motor driver applications.
- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- PWM optimized
- Fast switching
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Področja uporabe
Industrial, Power Management
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za SI7898DP-T1-GE3
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000225
Sledenje izdelku