Natisni stran
SI7252DP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI7252DP-T1-GE3
Številka naročila2364060
tehnični podatkovni list
26.399 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 2,570 |
| 10+ | € 1,760 |
| 100+ | € 1,240 |
| 500+ | € 0,950 |
| 1000+ | € 0,875 |
| 5000+ | € 0,791 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 2,57 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI7252DP-T1-GE3
Številka naročila2364060
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel36.7A
Continuous Drain Current Id P Channel36.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.014ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.014ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel46W
Power Dissipation P Channel46W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
Dual N-channel 100V (D-S) MOSFET for use in primary side switching, synchronous rectification and DC/AC inverters.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
36.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.014ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
46W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
36.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.014ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
46W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za SI7252DP-T1-GE3
1 najden izdelek
Povezani izdelki
Št. najdenih izdelkov 2
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0001
Sledenje izdelku