Natisni stran
SI7190DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 18.4 A, 0.098 ohm, SOIC, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI7190DP-T1-GE3
Številka naročila1794780
tehnični podatkovni list
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI7190DP-T1-GE3
Številka naročila1794780
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id18.4A
Drain Source On State Resistance0.098ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation96W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternative za SI7190DP-T1-GE3
Št. najdenih izdelkov 2
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18.4A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.098ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Tehnični dokumenti (3)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.002