Natisni stran
SI4564DY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI4564DY-T1-GE3
Številka naročila2056723
tehnični podatkovni list
15.719 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 1,680 |
| 10+ | € 1,160 |
| 100+ | € 0,790 |
| 500+ | € 0,627 |
| 1000+ | € 0,566 |
| 5000+ | € 0,483 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,68 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI4564DY-T1-GE3
Številka naročila2056723
tehnični podatkovni list
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel10A
Continuous Drain Current Id P Channel10A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0145ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0145ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The SI4564DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Področja uporabe
Power Management
Tehnični podatki
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
10A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0145ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
10A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0145ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (3)
Povezani izdelki
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000253
Sledenje izdelku