Natisni stran
SI4447ADY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 7.2 A, 0.036 ohm, SOIC, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI4447ADY-T1-GE3
Številka naročila2056685RL
tehnični podatkovni list
54.905 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,341 |
| 500+ | € 0,284 |
| 1000+ | € 0,244 |
| 5000+ | € 0,204 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 39,10 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI4447ADY-T1-GE3
Številka naročila2056685RL
tehnični podatkovni list
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id7.2A
Drain Source On State Resistance0.036ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Pregled izdelka
- 40V, 7.2A, P-channel TrenchFET® power MOSFET in 8 pin SOIC package
- 100% Rg tested
- 100 % UIS tested
- Suitable for load switches, adaptor switch and notebook PCs
Tehnični podatki
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.2A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (3)
Povezani izdelki
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000138
Sledenje izdelku