Natisni stran
SI4190ADY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 18.4 A, 0.0073 ohm, SOIC, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI4190ADY-T1-GE3
Številka naročila2283674RL
tehnični podatkovni list
8104 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 1,080 |
| 500+ | € 0,878 |
| 1000+ | € 0,809 |
| 5000+ | € 0,745 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 113,00 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI4190ADY-T1-GE3
Številka naročila2283674RL
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id18.4A
Drain Source On State Resistance0.0073ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The SI4190ADY-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch and telecom/server applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Področja uporabe
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18.4A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0073ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za SI4190ADY-T1-GE3
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000254
Sledenje izdelku