Natisni stran
SI2323DS-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, TO-236, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI2323DS-T1-E3
Številka naročila1470106RL
Nabor izdelkovTrenchFET Series
tehnični podatkovni list
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI2323DS-T1-E3
Številka naročila1470106RL
Nabor izdelkovTrenchFET Series
tehnični podatkovni list
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Alternative za SI2323DS-T1-E3
Št. najdenih izdelkov 3
Pregled izdelka
The SI2323DS-T1-E3 is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 1.25W.
- ±8V Gate-source voltage
- Halogen-free
Področja uporabe
Industrial
Tehnični podatki
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
Continuous Drain Current Id
4.7A
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Tehnični dokumenti (3)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0001
Sledenje izdelku