Natisni stran
BPW77NA
Phototransistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pins, TO-18
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
790 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 3,400 |
| 10+ | € 2,210 |
| 25+ | € 2,120 |
| 50+ | € 2,020 |
| 100+ | € 1,930 |
| 500+ | € 1,730 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 3,40 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaBPW77NA
Številka naročila1612659
Wavelength Typ850nm
Viewing Angle10°
Power Consumption250mW
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-18
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Pregled izdelka
The BPW77NA is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in hermetically sealed. It is sensitive to visible and near infrared radiation. It is suitable for visible and near infrared radiation.
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Fast response times
- Base terminal connected
- ±10° Angle of half sensitivity
Področja uporabe
Sensing & Instrumentation
Tehnični podatki
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
250mW
Transistor Case Style
TO-18
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
10°
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (1)
Povezani izdelki
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Tarifna številka:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Bo naknadno sporočeno
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Sledenje izdelku