Natisni stran
OPB710
Reflective Photo Interrupter, OPB710 Series, Phototransistor, Through Hole, 6.35 mm, 50 mA, 3 Vr
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Proizvajalčeva št. delaOPB710
Številka naročila1497907
tehnični podatkovni list
34 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 8,740 |
| 5+ | € 8,720 |
| 10+ | € 8,700 |
| 50+ | € 8,680 |
| 100+ | € 8,660 |
| 250+ | € 8,490 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 8,74 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Proizvajalčeva št. delaOPB710
Številka naročila1497907
tehnični podatkovni list
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width6.35mm
Sensing Distance6.35mm
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max-
Forward Current If50mA
Reverse Voltage Vr3V
Sensor Case / PackageModule
Collector Emitter Voltage Max30V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Forward Voltage1.5V
Collector Current IC Max25mA
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min0°C
Operating Temperature Max70°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
The OPB710 is a Reflective Object Sensor that consists of a gallium arsenide infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor. On each sensor, the emitting diode and detector are mounted side-by-side on parallel axes. A black plastic sleeve is attached and filled with encapsulating epoxy to cover the emitter and detector. The package contains an internal barrier which prevents diode emissions from reaching the sensor directly.
- Photodarlington output
- Unfocused for sensing diffuse surface
- Clear encapsulating epoxy
- Filtered to reduce the effect of visible or fluorescent light
Področja uporabe
Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control, Safety, Industrial
Tehnični podatki
Sensing Method
Reflective
Sensing Distance
6.35mm
Supply Voltage Max
-
Reverse Voltage Vr
3V
Collector Emitter Voltage Max
30V
Forward Voltage
1.5V
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
70°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
6.35mm
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
50mA
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Collector Current IC Max
25mA
IP Rating
-
Operating Temperature Min
0°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMexico
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMexico
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.002722