Natisni stran
TPN12008QM,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 60 A, 0.0096 ohm, TSON, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecTOSHIBA
Proizvajalčeva št. delaTPN12008QM,L1Q(M
Številka naročila4173226RL
Nabor izdelkovU-MOSX-H Series
Znano tudi kotTPN12008QM, TPN12008QM,L1Q
tehnični podatkovni list
5000 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,460 |
| 500+ | € 0,392 |
| 1000+ | € 0,356 |
| 5000+ | € 0,324 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 51,00 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecTOSHIBA
Proizvajalčeva št. delaTPN12008QM,L1Q(M
Številka naročila4173226RL
Nabor izdelkovU-MOSX-H Series
Znano tudi kotTPN12008QM, TPN12008QM,L1Q
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0096ohm
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation86W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSX-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
TSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
86W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0096ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSX-H Series
SVHC
To Be Advised
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.00003
Sledenje izdelku