Natisni stran
STP160N4LF6
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 120 A, 0.0022 ohm, TO-220AB, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTP160N4LF6
Številka naročila2807213
Nabor izdelkovDeepGATE STripFET VI
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTP160N4LF6
Številka naročila2807213
Nabor izdelkovDeepGATE STripFET VI
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.0022ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDeepGATE STripFET VI
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Alternative za STP160N4LF6
Št. najdenih izdelkov 8
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0022ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
DeepGATE STripFET VI
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0023
Sledenje izdelku