Natisni stran
STE180NE10
MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.006 ohm, 10 V, 3 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTE180NE10
Številka naročila9803009
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTE180NE10
Številka naročila9803009
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation360W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Product Range-
Alternative za STE180NE10
Št. najdenih izdelkov 2
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360W
No. of Pins
4Pins
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaItaly
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaItaly
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000036