Natisni stran
STD10P6F6
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTD10P6F6
Številka naročila2629745
Nabor izdelkovDeepGATE STripFET VI
tehnični podatkovni list
67.820 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 5+ | € 1,160 |
| 50+ | € 0,775 |
| 100+ | € 0,589 |
| 500+ | € 0,462 |
| 1000+ | € 0,406 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 5
Več: 5
€ 5,80 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTD10P6F6
Številka naročila2629745
Nabor izdelkovDeepGATE STripFET VI
tehnični podatkovni list
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDeepGATE STripFET VI
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
- 60V, 10A P-channel STripFET™ F6 Power MOSFET in 3 pin DPAK package
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
- Suitable for switching applications
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
DeepGATE STripFET VI
MSL
-
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za STD10P6F6
Št. najdenih izdelkov 2
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000399
Sledenje izdelku