Natisni stran
SKM100GB125DN
IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Module
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSEMIKRON
Proizvajalčeva št. delaSKM100GB125DN
Številka naročila2423681
tehnični podatkovni list
6 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 189,760 |
| 5+ | € 178,860 |
| 10+ | € 167,260 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 189,76 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSEMIKRON
Proizvajalčeva št. delaSKM100GB125DN
Številka naročila2423681
tehnični podatkovni list
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current100A
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.3V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Pregled izdelka
The SKM100GB125DN is a 1200V N-channel Ultra Fast IGBT Module with fast and soft inverse CAL diodes. This transistor is ideal for resonant inverters up to 100kHz and Electronic welders as well inductive heating.
- Low inductance
- Short tail current with low temperature dependence
- High short circuit capability
- Isolated copper baseplate using DCB (Direct Copper Bonding) technology
- Large clearance (10mm) and creepage distances (20mm)
Področja uporabe
Power Management, Industrial
Opozorila
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device however ESD packaging is not necessary. Due to technical requirements, component may contain dangerous substances.
Tehnični podatki
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.3V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.3V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Tehnični dokumenti (1)
Povezani izdelki
Št. najdenih izdelkov 4
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaItaly
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaItaly
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.18
Sledenje izdelku