Natisni stran
SCT3080KL GC11
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecROHM
Proizvajalčeva št. delaSCT3080KL GC11
Številka naročila2947069
tehnični podatkovni list
Ni več na zalogi
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecROHM
Proizvajalčeva št. delaSCT3080KL GC11
Številka naročila2947069
tehnični podatkovni list
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation165W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Pregled izdelka
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Tehnični podatki
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
31A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247N
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
165W
Product Range
-
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.005