Natisni stran
RGT8NS65DGTL
IGBT, Field Stop Trench, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
964 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 1,740 |
| 10+ | € 1,260 |
| 100+ | € 0,864 |
| 500+ | € 0,690 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,74 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecROHM
Proizvajalčeva št. delaRGT8NS65DGTL
Številka naročila2519786
tehnični podatkovni list
Continuous Collector Current8A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation65W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-263S
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (23-Jan-2024)
Tehnični podatki
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
65W
Transistor Case Style
TO-263S
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaJapan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaJapan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.002
Sledenje izdelku