Natisni stran
NXH350N100H4Q2F2P1G
IGBT Module, Si/SiC Hybrid Module, EliteSiC, Four Pack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNXH350N100H4Q2F2P1G
Številka naročila3929806
Nabor izdelkovEliteSiC Series
tehnični podatkovni list
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 14
Obvestite me, ko bo izdelek spet na zalogi.
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 147,170 |
| 5+ | € 145,990 |
| 10+ | € 144,810 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 147,17 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNXH350N100H4Q2F2P1G
Številka naročila3929806
Nabor izdelkovEliteSiC Series
tehnični podatkovni list
IGBT ConfigurationFour Pack
DC Collector Current303A
Continuous Collector Current303A
Collector Emitter Saturation Voltage1.63V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.63V
Power Dissipation Pd592W
Power Dissipation592W
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tehnični podatki
IGBT Configuration
Four Pack
Continuous Collector Current
303A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.63V
Power Dissipation
592W
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
DC Collector Current
303A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.63V
Power Dissipation Pd
592W
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1kV
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.09
Sledenje izdelku