Natisni stran
MMUN2211LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaMMUN2211LT1G
Številka naročila9556648
tehnični podatkovni list
125.130 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 5+ | € 0,129 |
| 50+ | € 0,0725 |
| 100+ | € 0,0467 |
| 500+ | € 0,0347 |
| 1500+ | € 0,0278 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 5
Več: 5
€ 0,64 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaMMUN2211LT1G
Številka naročila9556648
tehnični podatkovni list
Transistor PolaritySingle NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R210kohm
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation400mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min35hFE
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
The MMUN2211LT1G from On Semiconductor are NPN digital transistor in 3 pin SOT-23 (TO−236) package. Digital transistor is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.
- Simplifies circuit design
- Compact board space
- Reduced component count
- AEC-Q101 qualified
- Base input resistor is 10Kohm
- Base emitter resistor is 10kohm
- Collector emitter voltage VCEO of 50VDC
- Continuous collector current of 100mAdc
Področja uporabe
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Tehnični podatki
Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
10kohm
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
10kohm
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
400mW
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za MMUN2211LT1G
Št. najdenih izdelkov 3
Povezani izdelki
Št. najdenih izdelkov 2
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000033
Sledenje izdelku