Natisni stran
FQA46N15
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-3PN, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
900 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
na voljo do odprodaje zalog
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 1,890 |
| 10+ | € 1,780 |
| 100+ | € 1,670 |
| 500+ | € 1,560 |
| 1000+ | € 1,530 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,89 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaFQA46N15
Številka naročila2322622
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-3PN
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (17-Jan-2022)
Alternative za FQA46N15
1 najden izdelek
Pregled izdelka
The FQA46N15 is a 150V N-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low gate charge (typical 85nC)
- Low Crss (typical 100pF)
- 100% avalanche tested
- ±25V gate source voltage
- 40°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 0.6°C/W thermal resistance, junction to case
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-3PN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2022)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (3)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.007091