Natisni stran
FDMQ8403
Dual MOSFET, Quad N Channel, 100 V, 6 A, 0.11 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaFDMQ8403
Številka naročila3003989RL
Nabor izdelkovPowerTrench GreenBridge Series
tehnični podatkovni list
14.252 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 1,900 |
| 500+ | € 1,560 |
| 1500+ | € 1,520 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 5
€ 195,00 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaFDMQ8403
Številka naročila3003989RL
Nabor izdelkovPowerTrench GreenBridge Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeQuad N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.11ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleWDFN
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel17W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench GreenBridge Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
FDMQ8403 is a MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH®,Greenbridge™ series of high-efficiency bridge rectifier. This quad MOSFET solution provides ten−fold improvement in power dissipation over diode bridge. Application includes high efficiency bridge rectifiers.
- 85mohm typical static drain to source on resistance (VGS = 10V, ID = 3A)
- Substantial efficiency benefit in PD solutions
- Gate to source voltage is ±20V, 1nA maximum zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 80V)
- 2.8V typical drain to source breakdown voltage (VGS = VDS, ID = 250µA)
- 6S typical forward transconductance (VDS = 10V, ID = 3A)
- 4.1ns typical turn on delay time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 1.2ns typical rise time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 0.9nC typical gate to source charge (VDD = 50V, ID = 3A)
- 33ns typical reverse recovery time (IF = 3A, di/dt = 100 A/µs)
- WDFN12 package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
Quad N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
PowerTrench GreenBridge Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.11ohm
Transistor Case Style
WDFN
Power Dissipation N Channel
17W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaThailand
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaThailand
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0005
Sledenje izdelku