Natisni stran
NXV65HR51DZ2
MOSFET Transistor, 33 A, 650 V, 0.051 ohm, 10 V, 5 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNXV65HR51DZ2
Številka naročila3617529
tehnični podatkovni list
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 16
| Količina | |
|---|---|
| 72+ | € 27,640 |
Cena za:Tube of 1
Najmanj: 72
Več: 72
€ 1.990,08 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNXV65HR51DZ2
Številka naročila3617529
tehnični podatkovni list
Channel Type-
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.051ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation135W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Tehnični podatki
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
135W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.051ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.1
Sledenje izdelku