Natisni stran
NXV08V080DB1
MOSFET Transistor, 130 A, 80 V, 0.003 ohm, 10 V, 4 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNXV08V080DB1
Številka naročila3617527
tehnični podatkovni list
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 12
| Količina | |
|---|---|
| 44+ | € 18,840 |
Cena za:Tube of 1
Najmanj: 44
Več: 44
€ 828,96 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNXV08V080DB1
Številka naročila3617527
tehnični podatkovni list
Channel Type-
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source On State Resistance0.003ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Tehnični podatki
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
130A
Drain Source On State Resistance
0.003ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.1
Sledenje izdelku