Natisni stran
NTZD3154NT1G
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNTZD3154NT1G
Številka naročila2533209RL
tehnični podatkovni list
155.602 Na Zalogi
72.060 Izdelek na zalogi lahko rezervirate že zdaj.
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,120 |
| 500+ | € 0,110 |
| 1000+ | € 0,0929 |
| 5000+ | € 0,0657 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 5
€ 17,00 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNTZD3154NT1G
Številka naročila2533209RL
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel540mA
Continuous Drain Current Id P Channel540mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.4ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
The NTZD3154NT1G is a dual N-channel small signal MOSFET designed for cell phones, digital cameras, PDAs and pagers etc. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits and battery management applications.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- Low threshold voltage
- Small footprint
- ESD protected gate
- Halogen-free
Področja uporabe
Industrial, Power Management
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
540mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
540mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.4ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Povezani izdelki
Št. najdenih izdelkov 2
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000454