Natisni stran
NTUD3169CZT5G
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNTUD3169CZT5G
Številka naročila2533207
tehnični podatkovni list
19.309 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 5+ | € 0,305 |
| 10+ | € 0,233 |
| 100+ | € 0,132 |
| 500+ | € 0,120 |
| 1000+ | € 0,108 |
| 5000+ | € 0,0966 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 5
Več: 5
€ 1,52 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNTUD3169CZT5G
Številka naročila2533207
tehnični podatkovni list
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel220mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.75ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.75ohm
Transistor Case StyleSOT-963
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel125mW
Power Dissipation P Channel125mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
The NTUD3169CZT5G is a N/P-channel complementary MOSFET offers a low RDS (ON) solution in the ultra small package. It is suitable for load switch with level shift applications.
- 1.5V Gate voltage rating
- Ultra thin profile (<lt/>0.5mm)
- Fit easily into extremely thin environments such as portable electronics
Področja uporabe
Industrial, Power Management, Portable Devices
Tehnični podatki
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
220mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.75ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
125mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.75ohm
Transistor Case Style
SOT-963
Power Dissipation N Channel
125mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnični dokumenti (1)
Povezani izdelki
Št. najdenih izdelkov 2
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001
Sledenje izdelku