Natisni stran
NTD25P03LT4G
Power MOSFET, Logic Level, P Channel, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNTD25P03LT4G
Številka naročila2101430RL
tehnični podatkovni list
9701 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,532 |
| 500+ | € 0,498 |
| 1000+ | € 0,464 |
| 5000+ | € 0,430 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 5
€ 58,20 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNTD25P03LT4G
Številka naročila2101430RL
tehnični podatkovni list
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
The NTD25P03LT4G is a -30V P-channel Power MOSFET designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The source to drain diode recovery time is comparable to a discrete fast recovery diode.
- AEC-Q101 qualified
Področja uporabe
Motor Drive & Control, Power Management
Tehnični podatki
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za NTD25P03LT4G
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.00046
Sledenje izdelku