Natisni stran
NDT456P
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.3 A, 0.026 ohm, SOT-223, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 15
Obvestite me, ko bo izdelek spet na zalogi.
| Količina | |
|---|---|
| 4000+ | € 0,765 |
| 12000+ | € 0,762 |
Cena za:Each (Supplied on Full Reel)
Najmanj: 4000
Več: 4000
€ 3.060,00 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNDT456P
Številka naročila2438494
tehnični podatkovni list
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.3A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
The NDT456P is a P-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
Področja uporabe
Power Management, Motor Drive & Control
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.3A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za NDT456P
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000275
Sledenje izdelku