Natisni stran
NDC7002N
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 510 mA, 2 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 13
Obvestite me, ko bo izdelek spet na zalogi.
| Količina | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,141 |
| 9000+ | € 0,123 |
Cena za:Each (Supplied on Full Reel)
Najmanj: 3000
Več: 3000
€ 423,00 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNDC7002N
Številka naročila2438359
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel510mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel700mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
The NDC7002N is a dual N-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
- High saturation current
- High density cell design for low RDS (ON)
- Design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
Področja uporabe
Industrial, Power Management
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
510mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001
Sledenje izdelku