Natisni stran
MMBFJ309LT1G
JFET Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaMMBFJ309LT1G
Številka naročila1431339
tehnični podatkovni list
35.677 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 5+ | € 0,496 |
| 50+ | € 0,241 |
| 100+ | € 0,174 |
| 500+ | € 0,149 |
| 1500+ | € 0,131 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 5
Več: 5
€ 2,48 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaMMBFJ309LT1G
Številka naročila1431339
tehnični podatkovni list
Gate Source Breakdown Voltage Max-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max30mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min12mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-4V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Pregled izdelka
The MMBFJ309LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
- 25VDC Drain-source voltage
- 25VDC Gate-source voltage
- 10mA Gate current
Področja uporabe
Industrial, Power Management
Tehnični podatki
Gate Source Breakdown Voltage Max
-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
12mA
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Type
JFET
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
30mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-4V
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za MMBFJ309LT1G
Št. najdenih izdelkov 8
Povezani izdelki
Št. najdenih izdelkov 2
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001058
Sledenje izdelku