Natisni stran
FQA8N100C
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
790 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 3,210 |
| 10+ | € 3,190 |
| 100+ | € 2,650 |
| 500+ | € 2,310 |
| 1000+ | € 2,260 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 3,21 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaFQA8N100C
Številka naročila2453888
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-3PN
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation225W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
The FQA8N100C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (53nC)
- Low Crss (16pF)
- 100% avalanche tested
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-3PN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
225W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.006401
Sledenje izdelku