Natisni stran
FDPC5018SG
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaFDPC5018SG
Številka naročila3003960RL
Nabor izdelkovPowerTrench Series
tehnični podatkovni list
4050 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,991 |
| 500+ | € 0,791 |
| 1500+ | € 0,771 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 5
€ 104,10 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaFDPC5018SG
Številka naročila3003960RL
Nabor izdelkovPowerTrench Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel109A
Continuous Drain Current Id P Channel109A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0014ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0014ohm
Transistor Case StylePQFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel29W
Power Dissipation P Channel29W
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
109A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0014ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
29W
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
109A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0014ohm
Transistor Case Style
PQFN
Power Dissipation N Channel
29W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0005
Sledenje izdelku