Natisni stran
FDC8602
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaFDC8602
Številka naročila2860229
Nabor izdelkovPowerTrench Series
tehnični podatkovni list
504 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 5+ | € 1,930 |
| 50+ | € 1,270 |
| 100+ | € 0,868 |
| 500+ | € 0,691 |
| 1500+ | € 0,628 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 5
Več: 5
€ 9,65 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaFDC8602
Številka naročila2860229
Nabor izdelkovPowerTrench Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel1.2A
Continuous Drain Current Id P Channel1.2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.285ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.285ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.285ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.285ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0007
Sledenje izdelku