Natisni stran
FDC2612
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
4161 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 0,877 |
| 10+ | € 0,594 |
| 100+ | € 0,408 |
| 500+ | € 0,337 |
| 1000+ | € 0,298 |
| 5000+ | € 0,265 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 0,88 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaFDC2612
Številka naročila2454150
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.605ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
The FDC2612 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- Fast switching speed
- 8nC typical low gate charge
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.605ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000036
Sledenje izdelku