Natisni stran
MRFE6VP5600HR6
RF FET Transistor, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecNXP
Proizvajalčeva št. delaMRFE6VP5600HR6
Številka naročila2985241
tehnični podatkovni list
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 10
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 158,020 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 158,02 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecNXP
Proizvajalčeva št. delaMRFE6VP5600HR6
Številka naročila2985241
tehnični podatkovni list
Drain Source Voltage Vds130V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation1.667kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleNI-1230
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
MRFE6VP5600HR6 is a high ruggedness N channel enhancement mode lateral MOSFET designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analogue and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single-ended or in a push-pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Drain Source Voltage Vds
130V
Power Dissipation
1.667kW
Operating Frequency Max
600MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
NI-1230
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0003