Natisni stran
MRF1K50HR5
RF FET Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
91 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 233,970 |
| 5+ | € 229,290 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 233,97 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecNXP
Proizvajalčeva št. delaMRF1K50HR5
Številka naročila2776261
tehnični podatkovni list
Drain Source Voltage Vds135VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation1.667kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max500MHz
Transistor Case StyleNI-1230
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
MRF1K50HR5 is a RF power LDMOS transistor in a 4 pin NI-1230 package. This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial, scientific and medical applications, as well as radio and VHF TV broadcast, sub--GHz aerospace and mobile radio applications. Its unmatched input and output design allows for wide frequency range use from 1.8 to 500MHz.
- High drain--source avalanche energy absorption capability
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Characterized from 30 to 50V for ease of use
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved class C operation
- Recommended driver: MRFE6VS25N (25W)
Tehnični podatki
Drain Source Voltage Vds
135VDC
Power Dissipation
1.667kW
Operating Frequency Max
500MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
NI-1230
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.011793
Sledenje izdelku